Módulo IGBT SKM200GB124DE semiconductor de potencia bidireccional encapsulado

En resumen: Arquitectura Interna Dual para Circuitos de PotenciaEste dispositivo denominado SKM200GB124DE consta Ficha del producto

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Descripción
Producto	Módulo IGBT SKM200GB124DE semiconductor de potencia bidireccional encapsulado
SKU	s1_EB0H4Z2C57R
Información	Arquitectura Interna Dual para Circuitos de PotenciaEste dispositivo denominado SKM200GB124DE consta de dos transistores IGBT conectados en serie dentro de una misma cápsula hermética. Esta configuración de medio puente simplifica notablemente el diseño físico de los inversores de corriente, reduciendo el espacio requerido dentro del armario eléctrico de control de la fábrica.Estabilidad en Aplicaciones de Energías RenovablesEn los sistemas de conversión de energía eólica o solar, la regularidad del suministro es vital. El uso del modelo SKM200GB128DE garantiza que la energía capturada se transforme con una pérdida mínima hacia la red de distribución eléctrica, soportando las variaciones del flujo ambiental sin alterar la salida final de voltaje.Características Constructivas DestacadasBase de cobre macizo: Distribuye el calor de forma uniforme por toda la superficie de contacto inferior.Terminales de tornillo robustos: Soportan conexiones de cables de gran sección para corrientes elevadas.Tecnología Trench: Minimiza la resistencia interna en estado activo para mejorar el rendimiento global.
Precio
Precio actual	49,99 €
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Disponibilidad
Estado	Nuevo
Imágenes	2
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